摘要

采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采用TPBI/Ag阴极结构的器件外量子效率提高了57%,主要原因是TPBI/Ag阴极界面形成较低的电子注入势垒,有利于电子注入,使器件发光效率明显提高.