基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法

作者：贾仁需; 余建刚; 元磊; 张弘鹏

来源：2018-08-09, 中国, ZL201810900497.0.

本发明涉及一种基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法,所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(InxGa1-x)2O3材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(InxGa1-x)2O3紫外光吸收层以及叉指电极,其中,所述叉指电极为非对称结构,包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下,(InxGa1-x)2O3会发生相的分离,产生两个光学带隙,从而对两个紫外光谱范围产生感应,并且具有自供电特性。

• 出版日期2018-8-9
• 单位西安电子科技大学