针对硅等传统半导体材料随着器件尺寸减小出现的热效应、尺寸效应等现象，导致器件性能下降甚至失效，设计了一种基于二维黑磷的微型隧穿式加速度传感器。两个驱动电极位于硅衬底上表面和二维黑磷悬臂梁结构下表面，静电驱动控制隧道电极间距。为提高加速度计的灵敏度，在二维黑磷悬臂梁上增加金质量块结构。通过对敏感结构进行模态分析和静力学仿真，完成了其结构设计。经闭环Simulink模型仿真验证了结构的合理性，仿真结果表明传感器的灵敏度可达3.09 mV/g。
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