基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

作者：张春福; 张家祺; 武毅畅; 陈大正; 张进成; 郝跃

来源：2019-09-11, 中国, CN201910860757.0.

本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管,由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成,其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3),AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4),以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5)；该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上,形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本,增强了器件的可靠性,可用于电源转换器及反相器电源控制与转换。

• 出版日期2019-9-11
• 单位西安电子科技大学