科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径7.7~7.8μm,深度78μm)多孔硅进行金属钯填充。镀液组成和工艺条件为:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50%(体积分数),pH 8~9,电压15 V,电流1.5 mA,惰性气体搅拌,时间17 h。采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况。结果表明,金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充,并在孔的外表面也有沉积。本工艺镀液组成简单,为制备三维硅基氚电池提供了技术基础。
- 出版日期2014
- 单位中国工程物理研究院核物理与化学研究所; 中国工程物理研究院电子工程研究所
