在原子层沉积系统(Atomic layer deposition)ALD的薄膜生长工艺流程中,关键部分在于对工艺腔室内部温度和压强的控制。由于ALD反应腔内部温度控制具有非线性、滞后性及时变性,本文通过对反应腔采取分区加热的方法,使用西门子TIA博途软件自带的具有抗积分饱和功能的PID控制器,加上前馈补偿PID控制算法,很好地解决了反应腔内温度均匀性这一问题。并通过实验实测数据和仿真,得出整个温度控制范围误差控制在5℃‰。
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