SnX (X=S， Se)/P3HT复合薄膜制备及其热电应用

作者：张继云; 吴庆港; 查柯宇; 李继青; 海杰峰; 陆振欢^*

来源：精细化工, 2024, 1-10.

DOI：10.13550/j.jxhg.20231042

• 热电材料
• SnS
• SnSe
• 3-己基取代聚噻吩
• 复合薄膜
• 功能材料

将SnS纳米带或SnSe纳米片与3-己基取代聚噻吩(P3HT)复合制备了两类无机/有机复合薄膜SnS/P3HT和SnSe/P3HT。采用XRD、SEM、EDS和Raman光谱对其进行了表征，考察了SnS或SnSe含量(以P3HT质量为基准，下同)对SnS/P3HT或SnSe/P3HT电导率、塞贝克系数和功率因子的影响，评价了SnS/P3HT复合薄膜在柔性热电器件中的应用。结果表明，SnS纳米带或SnSe纳米片与P3HT的复合均为物理混合。SnS(4%)/P3HT(SnS含量为4%)的功率因子最大，为3.33 μW/(m·K2)，相比P3HT薄膜〔2.80 μW/(m·K2)〕提高了18.9%；SnSe纳米片在SnSe/P3HT中的分散性差，其团聚程度随SnSe含量的增加而增强，导致其电导率大幅度降低，未能提高功率因子。SnS(4%)/P3HT的柔性器件在外负载电阻为1.5 kΩ时的最大输出功率为16.7 nW；当弯曲半径4 mm时，SnS(4%)/P3HT复合膜经过1000次的重复弯曲后，其电阻相对偏差值为23.15%。

• 出版日期2024
• 单位桂林理工大学; 生物工程学院