采用H126O/H128O接续氧化并结合同位素示踪方法,研究了铜薄膜在水汽中氧化的传质机理.将真空热蒸发制备的铜薄膜样品,分别在H126O,H218O中以及H216O/H128O接续进行氧化处理;利用X射线衍射(XRD)研究了氧化产物的形态和结构;并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素18O与16O在氧化膜中的浓度分布.结果表明铜在水蒸汽中湿法氧化产物为Cu2O,微观氧化传质机理为短路扩散机理.
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