牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发

作者：刘国友; 覃荣震; IanDeviny; 黄建伟

来源：机车电传动, 2013, (02): 5-8+30.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2013.02.002

• 绝缘栅双极晶体管
• 轨道交通
• 终端结构
• 台面栅
• 注入效率
• 元胞 insulated gate bipolar transistor(IGBT)
• rail transit
• termination structure
• terraced gate
• injection efficiency
• cell

针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。

• 出版日期2013
• 单位株洲南车时代电气股份有限公司