HgCdTe外延薄膜临界厚度的理论分析

作者：王庆学; 杨建荣; 魏彦锋

来源：Acta Physica Sinica, 2005, (12): 304-309.

• HgCdTe/CdZnTe
• 临界厚度
• 位错滑移理论
• 失配位错 HgCdTe/CdZnTe
• critical thickness
• dislocation gliding theory
• misfit dislocation

基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论,研究了生长方向分别为[111]和[211]晶向,HgCdTe外延薄膜临界厚度与CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的关系.结果表明,HgCdTe外延薄膜临界厚度依赖于CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的变化.对于厚度为10μm,生长方向为[111]晶向的液相外延HgCdTe薄膜,要确保HgCdTe/CdZnTe无界面失配位错的前提条件,是CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动必须分别在±0.225‰和±5‰范围内;而对于相同厚度,生长方向为[211]晶向的分子束外延...

• 出版日期2005
• 单位中国科学院上海技术物理研究所