摘要

以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析薄膜结构,研究靶材密度及孔径分布与薄膜光电性能的关系。结果表明,经过机械合金化和煅烧处理制备的原料粉(m(ZnO)∶m(Al2O3)=98∶2),Al部分扩散进入ZnO晶格中,另一部分由于固溶度的限制形成了ZnAl2O4尖晶石。在相同的溅射条件下,靶材密度越高,薄膜沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率...