HgCdTe外延材料的缺陷腐蚀特性

作者：曹秀亮; 杨建荣

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (08): 1401-1405.

• 缺陷
• 位错
• 腐蚀坑
• Schaake
• Chen
• HgCdTe defect
• dislocation
• etch pit
• Schaake
• Chen
• HgCdTe

通过对Schaake和Chen腐蚀剂在HgCdTe外延材料(111)B面腐蚀坑特性的研究,揭示了HgCdTe液相外延材料中的缺陷特征及其密度分布规律.深度腐蚀实验显示外延材料中确实存在着通常认为的具有定向穿越特性的穿越位错.将两种腐蚀剂作用于同一样品后发现,Schaake和Chen腐蚀剂形成的具有穿越特性的腐蚀坑有一一对应的关系.除了穿越位错外,在两种腐蚀方法揭示出的腐蚀坑中都还存在着一种不具备穿越特性的腐蚀坑,两者在密度分布以及界面处密度增值方面具有相同的特性,但前者在宏观缺陷附近密度出现明显的增值,而后者则没有出现类似的现象.

• 出版日期2006
• 单位中国科学院上海技术物理研究所