ESD保护器件在多晶硅上的实现

作者：孙郯

来源：信息技术, 2008, (12): 74-76+118.

DOI：10.13274/j.cnki.hdzj.2008.12.008

• ESD
• ESD模型
• TLP
• 多晶硅 ESD
• ESD models
• TLP
• polycrystalline silicon

静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因,目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的,这将占用一定的硅片面积,提升电路的成本。如果能够在多晶硅层(垂直空间)实现ESD保护器件,就能够节约一定的面积,从而节约成本。介绍了对于在多晶硅上实现的静电保护器件的研究结果。

• 出版日期2008
• 单位上海交通大学