Al~(3+)、Sc~(3+)掺杂的LiMn_2O_4电子结构和平均嵌入电压研究

作者：徐香兰; 韩红

来源：应用化工, 2012, 41(07): 1218-1223.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.2012.07.002

• 密度泛函理论
• 金属掺杂
• LiMn2O4
• 平均嵌入电压

采用密度泛函理论方法研究了锂离子正极材料LiMn2O4电子结构及金属掺杂对其平均嵌入电压的影响。嵌锂前后差电荷密度分析表明,Mn2O4嵌锂过程中,O、Mn均得到Li给出的电子,且以O得电子为主。Al3+和Sc3+取代LiMn2O4原胞中的Mn掺杂研究表明,Al3+和Sc3+在嵌锂过程中不参与和Li的电子交换,因而导致掺杂体系具有较大的嵌入电压。且Al3+、Sc3+掺杂导致LiMn2O4电极材料稳定性提高,材料密度减小,因此Al3+和Sc3+可作为较佳的锂离子正极掺杂材料。

• 出版日期2012
• 单位南昌大学