研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。
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