摘要

忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际物理原理和工艺实现方法,总结了忆阻器在尺寸、速度、记忆能力和功耗等方面的优异性能。最后,举例说明了忆阻器在开发新一代高密度非易失型存储器和生物模拟领域可以起到的巨大的作用和其诱人的发展前景。