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摘要
设计和制作了由 5个 2× 2多模干涉马赫 -曾德开关元组成的重排无阻塞型 SOI 4× 4热光开关阵列 .阵列的最小和最大附加损耗分别为 6 .6和 10 .4 d B,阵列的串扰为 - 12～ - 19.8d B,光开关阵列的开关速度小于 30μs,单个开关元的功耗大约为 330 m W.
- 出版日期2004-12-8
- 单位中国科学院半导体研究所
设计和制作了由 5个 2× 2多模干涉马赫 -曾德开关元组成的重排无阻塞型 SOI 4× 4热光开关阵列 .阵列的最小和最大附加损耗分别为 6 .6和 10 .4 d B,阵列的串扰为 - 12～ - 19.8d B,光开关阵列的开关速度小于 30μs,单个开关元的功耗大约为 330 m W.
