非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法

摘要

本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。

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