Fe掺杂的GaN薄膜的结构和铁磁性（英文）

作者：郭俊梅^*; 王锦仁; 刘科敏; 孙琳; 张玉宾; 徐胜楠

来源：低温物理学报, 2023, 45(01): 59-63.

DOI：10.13380/j.ltpl.2023.01.008

• 铁磁性
• 结构
• GaN
• 磁控溅射
• 高温氨化

本文通过高温氨化由磁控溅射方法制备的Ga2O3:Fe薄膜，成功地在单晶硅(100)基底上制备了Fe掺杂的GaN薄膜.X射线衍射结果显示Fe掺杂浓度为0%～7%的GaN薄膜均未发现第二相.磁性测量表明所有Fe掺杂的样品均显示出室温铁磁性，而且每个Fe原子的磁矩随Fe浓度的增加而减小，Fe的浓度为1%时每个Fe的磁矩最大，最大值为1.92μB/Fe.

• 出版日期2023
• 单位石家庄铁道大学四方学院