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摘要
用醋酸铅、硒粉及亚硫酸硒钠为主要原料采用化学液相沉积的方法在玻璃衬底上制备出了一系列的硒化铅半导体薄膜材料,采用在有氧环境下对薄膜进行热处理来实现薄膜的敏化过程,用SEM、XRD、EDS和IR等分析手段对薄膜的形貌、结构以及性能进行了表征。当敏化温度低于375℃时薄膜晶粒尺寸变化不大,但表面O/(Se+Pb)原子比随敏化温度的升高而明显升高,同时薄膜结构有所变化。硒化铅薄膜经过敏化处理后具有了一定的光电特性,在光照条件下薄膜的电阻变化率在5%～10%左右。
- 出版日期2012
- 单位中国航发北京航空材料研究院
