Al掺杂与HfO_2本征缺陷互作用的研究

作者：蒋先伟; 陈军宁; 金波; 王菲菲; 鲁世斌

来源：合肥工业大学学报(自然科学版), 2016, (07): 934-937.

• 第一性原理
• Al掺杂
• 复合缺陷体
• 氧空位
• 数据保持特性 first-principles
• Al doping
• co-doped composite defect system
• oxygen vacancy
• data retention

文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)俘获层时,在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响,计算了4种缺陷下氧空位的形成能大小、电荷俘获能及态密度。结果表明:掺入Al可以有效降低氧空位形成能,缺陷更易形成;Al+Vo3体系对空穴的数据保持能力相对较强,而Al+Vo4体系对电子的数据保持特性相对较好。

• 出版日期2016
• 单位合肥师范学院; 安徽大学