电化学沉淀法制备纳米结构氧化锌的场发射特性

作者：王马华; 朱汉清; 朱光平

来源：人工晶体学报, 2011, (01): 187-192.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.01.031

• 场发射
• 强场效应
• 缺陷态
• 串联等效 field emission
• intensive field effect
• defect states
• resistive voltage divider in series

对电化学沉淀法制备的氧化锌纳米棒阵列,通过室温下真空场发射电流密度与外加电压关系的测量,研究其场发射特性。根据测量数据,基于Fowler-Nordheim方程,估算了样品场发射效应的增强因子,观察到其取值随外加电压变化具有反常的两阶段性,即当外电场强度在3.3 V/μm场发射开启值到4.3 V/μm之间时,增强因子值为1339,外加场强大于4.3 V/μm时,增强因子锐减至296;结合样品的光致发光谱和能量散射谱,应用半导体中强电场效应、掺杂半导体中温度对费米能级、载流子浓度和迁移率影响,通过场发射电流密度测量系统的串联电路等效,分析了样品缺陷态对此两阶段性的决定和影响。

• 出版日期2011
• 单位东南大学; 淮阴工学院