纳米工艺下考虑缓冲器传热效应的集成电路互连线温度分布模型及缓冲器插入位置优化分析

作者：王新胜; 韩良; 刘海龙; 喻明艳

来源：微电子学与计算机, 2013, (12): 41-46.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2013.12.010

• 纳米及互连线
• 缓冲器传热
• 温度分布模型
• 缓冲器分布 nanometer interconnect wire
• buffer heat transfer
• temperature distribution model
• buffer location dis-tribution

分析了温度对互连线上缓冲器插入的影响,提出了考虑介质、通孔和缓冲器传热效应的互连线温度分布模型.基于此模型使用45nm互连工艺参数计算了单层和多层互连线的温度分布.结果显示,考虑缓冲器传热时多层互连中局部互连线温度受缓冲器影响不大,全局互连线温度受缓冲器影响显著,与介质传热模型相比温度降低超过10摄氏度.温度变化对缓冲器插入位置有显著影响,利用提出的互连线温度模型,在衬底温度梯度分布、1.5mm互连线长和单个缓冲器插入条件下,与均匀插入缓冲器相比,位置变化幅度超过10%.

• 出版日期2013
• 单位哈尔滨工业大学