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摘要
Fe3O4具有理论100%自旋极化率、高居里温度(858K),是能在室温下应用到自旋器件中的半金属材料。本研究采用对靶直流磁控溅射的方法制备了(100)MgO/Fe种子层,在此种子层上通过调节溅射工艺条件,得到了(100)晶向的Fe3O4薄膜。用XRD和TEM确认了反尖晶石相和(100)优先取向。采用VSM测试了样品的磁滞回线。结果表明,加入(100)MgO/Fe种子层后,Fe3O4薄膜的结构取向由随机排列转变到(100)优先取向,Fe3O4薄膜的磁性能发生了改变,具有了一定的垂直磁性能,AFM显示薄膜具有平整的平面,这利于通过加外加交换耦合薄膜来调节薄膜的磁性能,从而对自旋器件的应用有意义。
