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Luminescent N-polar (In,Ga)N/GaN quantum wells achieved by plasma-assisted molecular beam epitaxy at temperatures exceeding 700 degrees C

作者：Cheze C; Feix F; Laehnemann J; Flissikowski T; Krysko M; Wolny P; Turski H; Skierbiszewski C; Brandt O
来源：Applied Physics Letters, 2018, 112(2): 022102.
DOI：10.1063/1.5009184
  • 出版日期2018-1-8

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更新时间：2021-03-17 06:11