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摘要
我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度及其分布的亚稳变化效应．实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系．首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点．定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系．
- 出版日期1994
- 单位中国科学院半导体研究所
我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度及其分布的亚稳变化效应．实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系．首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点．定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系．
