摘要

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题 ,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义 .由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制 ,Si材料的发光效率极低 ,更谈不上可实现受激光发射 ,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径 .新的Si基直接带体材料 (如 β -FeSi2 等 )的探索 ,Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性 ,子带发光跃迁的探索 ,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性 ,以及SiO2 高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究 ,不同程度上取得了重要的进展 ,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在S...