碳化硅薄膜制备及其场发射特性

作者：赵武; 张志勇; 闫军锋; 翟春雪; 贠江妮; 邓周虎

来源：天津大学学报 (自然科学与工程技术版), 2008, 41(01): 28-32.

DOI：10.3969/j.issn.0493-2137.2008.01.006

• 碳化硅薄膜
• 场致发射
• I-V特性 silicon carbide thin films
• field emission
• I-V characteristics

采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性.FTIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收,其吸收峰为804.95 cm-1.从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82.1 V/μm,最...

• 出版日期2008
• 单位西北大学; 中国科学院西安光学精密机械研究所