低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用（英文）

作者：王立锋; 武斌^*; 刘洪涛; 王翰林; 苏玉玉; 类伟巍; **安^*; 刘云圻^*

来源：Science China-Materials, 2019, 62(08): 1218-1225.

二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm2V-1s-1,明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.

• 出版日期2019