摘要

根据单晶APT结晶原理,研究了结晶装置、搅拌转速、温度等因素对仲钨酸铵结晶团聚的影响。结果表明:晶核出现前,搅拌转速为30 r/min;晶核出现时,搅拌转速为50 r/min;晶核出现1 h后,搅拌转速为70r/min;结晶后期至结晶结束,搅拌转速为70~90 r/min。在此工艺条件下,所得产品APT单晶率达到最佳值;适当降低结晶前期温度,APT粉体单晶率有较大提升空间,在结晶温度为80℃时达到最佳值,单晶率为96%。所研发的单晶APT粉体制备流体层流控制技术及其装置,可有效减少晶粒间的碰撞,使制备出的单晶APT粉体单晶率达90%以上。

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