SnO2(110)表面In掺杂对NO2气敏吸附性能提升的理论研究

作者：刘玉亭; 徐超^*; 顾凤龙^*

来源：华南师范大学学报(自然科学版), 2021, 53(01): 16-22.

• 密度泛函理论
• SnO2
• NO2
• 吸附
• 氧缺陷

为了阐明In的掺杂能提高Sn O2(110)表面气敏性能的反应机制,采用密度泛函理论研究了NO2分子在In掺杂Sn O2(110)表面的吸附行为.计算结果表明:In的掺杂可以提高材料表面的导电性,形成具有氧空位的缺陷表面,有利于发生活性氧在表面的预吸附过程.掺杂的In5c/Sn O2(110)表面对NO2表现出良好的吸附性,对NO2气体的选择性和灵敏度提高的主要原因是In掺杂后氧空位缺陷表面的形成.此外,活性氧物种的预吸附对材料表面气敏性能的影响取决于NO2在材料表面的具体吸附位点,其中Sn5c位点的吸附促使电荷从表面转移到气体分子,导致表面电阻的增大以及氧空位的产生,从而表现出优异的气敏吸附性能.

• 出版日期2021
• 单位华南师范大学