一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器

作者：华林; 陈磊; 赖宗声; 石春琦; 张伟; 刘盛富; 张书霖; 苏杰; 胡少坚; 王勇; 赵宇航; 陈寿面

来源：2012-07-04, 中国, ZL201010281785.6.

本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器,该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构,电路结构从上到下包括输出级,开关级,跨导级,电流源级；同时,电路还采用了电流注入方式,在最顶端有四个N型MOS管,动态抽取流过开关的电流,减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点,利用了锗化硅器件低噪声优势,具有低噪声,高线性度,低谐波失真,工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB,输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。

• 出版日期2012-7-4
• 单位华东师范大学; 上海集成电路研发中心有限公司