登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
A transient simulation approach to obtaining capacitance-voltage characteristics of GaN MOS capacitors with deep-level traps
作者：Fukuda Koichi; Asai Hidehiro; Hattori Junichi; Shimizu Mitsuaki; Hashizume Tamotsu
来源：
Japanese Journal of Applied Physics
, 2018, 57(4): 04FG04.
DOI：10.7567/JJAP.57.04FG04
出版日期
2018-4
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
