Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

作者：郝跃; 薛军帅; 张进成

来源：中国科学:信息科学 , 2012, (12): 1577-1587.

• 化合物半导体
• 高电子迁移率晶体管
• InAlN/GaN异质结
• 晶格匹配无应变
• 脉冲式金属
• 有机物化学气相淀积 compound semiconductor
• high electron mobility transistors
• InAlN/GaN heterostructures
• latticematched
• strain-free
• pulsed metal organic chemical vapor deposition

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异...

• 出版日期2012
• 单位西安电子科技大学