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锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究
作者:杜晓松; 杨邦朝; 周鸿仁; 段建华
来源:
仪器仪表学报
, 2002, S1: 320-321.
锰铜
薄膜
电阻温度系数
溅射
摘要
采用溅射技术 ,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ,获得了电阻温度系数 TCR≤± 10× 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 ,同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
出版日期
2002-12-30
单位
电子科技大学
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