摘要

采用溅射技术 ,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ,获得了电阻温度系数 TCR≤± 10× 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 ,同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器