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摘要
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进行材料物理研究、制备高性能电子器件的关键步骤。利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,采用不同测试条件测量n+p结构硅材料中出现的不同能级位置的深能级,观察到p型外延层中出现的7个深能级。对比不同锁相频率、降升温模式、脉冲宽度、注入脉冲电压对测试结果和精度的影响。结果表明,为了有效地测试同一材料中出现的不同能级位置的深能级,应该尽量采用较高的锁相频率和较大的脉冲宽度,并且在降温模式下进行测试,以便有效地分辨较浅能级的谱峰。该测试方法可以推广到其他多能级半导体材料的表征。
- 出版日期2016
- 单位福建农林大学; 中国科学院福建物质结构研究所
