大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究

作者：周竞之; 王海洋; 何小平; 陈维青; 郭帆; 邱爱慈

来源：电工技术学报, 2012, (10): 176-181.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2012.10.025

• 反向导通双极晶闸管
• 触发导通特性
• 磁开关
• 触发电荷量
• 峰值导通压降 Reversly switched-on dynistor
• triggering and conducting characteristic
• magnetic switch
• trigger charge
• peak switching voltage

大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。

• 出版日期2012
• 单位西北核技术研究所