DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造

作者：侯智昊; 刘泽文; 李志坚

来源：光学精密工程, 2009, (08): 1922-1927.

• 微机电系统
• RF MEMS开关
• 并联接触

对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都<-0.5dB;隔离度为-47dB@1GHz,-30dB@10GHz和-25dB@20GHz,在DC～30GHz的隔高度都>-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。

• 出版日期2009-8-15
• 单位清华大学