[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型

作者：王冠宇; 马建立; 张鹤鸣; 王晓艳; 王斌

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (07): 574-579.

• [110]/(001)单轴应变Si
• 有效态密度
• 本征载流子浓度 [110]/(001)-uniaxial strained Si
• effective density of state
• intrinsic carrier concentration

本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考.

• 出版日期2011
• 单位西安电子科技大学