铌酸锂马赫-曾德调制器零点漂移特性的研究

作者：李善勇; 吴重庆; 刘岚岚; 华勇; 杨帅

来源：半导体光电, 2015, 36(06): 968-972.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2015.06.027

• 铌酸锂调制器
• 半波电压
• 零点漂移

对铌酸锂马赫-曾德调制器(MZ-LN)调制特性曲线、半波电压和零点电压进行了测量。实验表明调制特性曲线存在一定的偏移,调制器的零点电压存在严重的漂移现象。实验研究了零点漂移对NRZ码和DPSK信号的影响,指出零点漂移与调制器的残留电压有关,产生原因来自于内部结构存在的电荷储存效应。

• 出版日期2015
• 单位北京交通大学