异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

作者：王斌; 张鹤鸣; 胡辉勇; 张玉明; 宋建军; 周春宇; 李妤晨

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (21): 460-467.

• 异质多晶SiGe栅
• 应变Si NMOSFET
• 表面势
• 沟道电流 hetero-polycrystalline SiGe gate
• strained Si NMOSFET
• surface potential
• channel current

结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFE...

• 出版日期2013
• 单位西安电子科技大学