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摘要
以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺(n-SiC/PI)复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪(TMA)、阻抗分析仪和热重分析(TG)研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳定性。结果表明:SiC粒子均匀分散在PI基体中,复合薄膜的热膨胀系数(CTE)随着SiC含量的增加逐渐减小,SiC质量分数为15%时,CTE降低了11%,且复合膜的热膨胀系数实验值比较接近于Kerner公式的计算值。复合膜的介电常数和介电损耗随着填料含量的变化而变化,但始终维持在较低的范围内,并在相当大的频率范围内保持稳定。
