Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究

作者：王辉; 袁玉珍; 张化福; 刘汉法; 刘云燕; 刘俊成

来源：光电子-激光, 2009, 20(12): 1606-1609.

DOI：10.16136/j.joel.2009.12.001

• Al-Zr共掺杂
• ZnO透明导电薄膜
• 磁控溅射 co-doped ZnO
• transparent conducting films
• magnetron sputtering

采用直流磁控溅射法,在室温水冷玻璃衬底上制备出Al-Zr共掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究结果表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表明,Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。扫描电镜(SEM)观察表明,Ar气压强对Al-Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜的微观结构影响较大。薄膜的厚度随Ar气压强的增加而变薄,在Ar气压强为2.5Pa时,制备的Al-Zr共掺杂ZnO薄膜电阻率具有最小值1.01×10-3Ω.cm,在可见光区(500～800nm)平均透过率超过93%。

• 出版日期2009
• 单位山东理工大学