AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法

作者：邓小社; 梁亚楠; 贾利芳; 樊中朝; 何志; 张韵; 张大成

来源：半导体技术, 2016, (09): 649-657.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.09.002

• AlGaN/GaN
• 缓冲层
• 陷阱能级
• 电容瞬态测试
• 电流瞬态测试 AlGaN/GaN
• buffer layer
• trap level
• capacitance transient measurement
• current transient measurement

由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无...

• 出版日期2016
• 单位中国科学院半导体研究所; 北京大学