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摘要
为解决当前固态存储系统有效适应大规模数据高速存储的问题,以NAND Flash为存储介质,利用循环SRAM缓冲、多体存储阵列、交叉开关矩阵等技术实现了低速Flash芯片阵列构建的嵌入式高速数据存储机制.其中SRAM缓冲阵列采用了读写分组和循环管理,Flash阵列采用并行双总线架构、分组交叉编址和多级流水线技术,同时利用基于总线开关的交叉矩阵对两个阵列进行连接,提高了系统的读写带宽并增强了系统可扩展性.理论分析和仿真实验结果表明:该存储机制能够有效适用于嵌入式大规模数据的存储,对Flash读写操作的最大加速比将近20倍,具有良好的数据访问性能.
- 出版日期2017
- 单位华侨大学
