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摘要
基于65 nm互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺研制了一款用于X波段的小型化高增益低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）.通过研究晶体管尺寸和偏置电压对噪声系数和增益性能的影响，确定了低噪声高增益情况下晶体管尺寸和偏置电压的取值.针对LNA的输入、输出和级间匹配，采用变压器匹配网络，使得LNA尺寸缩小至0.33 mm×0.73 mm，同时提高了电路的隔离度.在变压器中嵌入并联电容，降低了变压器的耦合系数.基于差分共源拓扑结构，引入中和电容技术，有效地抑制了晶体管栅-漏间寄生电容引起的米勒效应，提高了LNA的增益和稳定性.测试结果表明，在1 V电源电压下，该LNA的带内最大增益为22.9 dB，最小噪声系数为2.8 dB，功耗为49 mW.在射频收发系统中，本款LNA具有良好的应用前景.
- 出版日期2023
- 单位电子信息工程学院; 中国电子科技集团第三十八研究所; 安徽大学
