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摘要
基于密度泛函理论的第一性原理计算得到了本征GaAs和In掺杂GaAs的能带结构和电子态密度。通过对比分析体心掺杂和面心掺杂两种掺杂方式的InGaAs电子结构，得到了不同掺杂方式对InGaAs材料性质的影响规律。研究结果表明，两种In掺杂材料体系的能带结构差异不大，与本征GaAs相比，二者的禁带宽度减少了约40%;掺杂的In原子作为受主杂质在导带中引入了新的杂质能级，使导带底降低；与本征GaAs相比，面心掺杂InGaAs电子分布的能量范围变化不大，但电子分布更均匀，而体心掺杂InGaAs的电子态密度中出现了新的电子分布能量范围，使掺杂后的材料具有更宽的导带。
- 出版日期2023
- 单位湘潭大学
