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Bipolar resistive switching characteristics in tantalum nitride-based resistive random access memory devices (vol 106, 203101, 2015)
作者：Kim Myung Ju; Jeon Dong Su; Park Ju Hyun; Kim Tae Geun
*
来源：
Applied Physics Letters
, 2016, 108(4): 049902.
DOI：10.1063/1.4941106
出版日期
2016-1-25
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