n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

作者：高勇; 马丽; 张如亮; 王冬芳

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (04): 640-646.

• 超结
• 锗硅二极管
• n
• p柱宽度
• 电学特性 super junction
• SiGe diode
• n
• p pillars width
• electrical characteristics

结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Sip+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析得到以下结论:与相同结构尺寸的常规Si功率二极管相比较,20%Ge含量的超结SiGe功率二极管,反向阻断电压提高了1.6倍,正向压降减小了约60mV(正向电流密度为10A/cm2时).虽然反向恢复时...

• 出版日期2011
• 单位西安理工大学