科研之友ScholarMate
免费注册
首页 论文 论文详情
赞 收藏 引用

Antimony segregation and n-type doping in Si/Si(111) films grown by molecular beam epitaxy

作者：Yurasov D V; Drozdov M N; Schmagin V B; Yunin P A; Novikov A V
来源：Journal of Crystal Growth, 2017, 475: 291-294.
DOI：10.1016/j.jcrysgro.2017.07.005
  • 出版日期2017-10-1

全文

全文

访问全文
收藏 分享 被引 浏览
更新时间：2021-01-20 10:26